英特爾(Intel)第四代Core處理器–Haswell將為電源IC供應商帶來新的商機。英特爾2013年下半年將推出的Haswell,將把上一代處理器平台整合的電源功能獨立出來,並特別在中央處理器(CPU)增加Turbo Boost規格,可望釋出更多電源IC訂單。
安森美大中國區解決方案工程中心總監張道林表示,英特爾第四代Haswell處理器架構,將較前一代平台釋放更多電源晶片商機。 |
安森美半導體(ON Semiconductor)大中國區解決方案工程中心總監張道林表示,英特爾第三代Ivy Bridge架構原本已整合繪圖處理器(GPU)電源和其他功率較小的直流對直流(DC-DC)轉換器,但為避免影響處理器的運作,新一代Haswell處理器將與GPU電源進行切割,將有助於提升處理器效率(Efficiency)及熱管理(Thermal Management)能力。
張道林進一步指出,除釋放GPU電源訂單外,英特爾未來亦尚未計畫在Haswell架構中整合CPU電源,因此下一代Haswell處理器平台將為電源IC廠商帶來不小商機。
據了解,英特爾Haswell CPU電源設計架構為VR12.5、VR12.6,其中VR12.6主要針對筆記型電腦(NB)應用,而VR12.5則是桌上型電腦(DT)和筆電皆可。目前電源晶片商在Vcore Power的電源設計約有三種,分別為脈衝寬度調變(PWM)、PWM+驅動器(Driver),以及驅動器+金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)的DrMOS方案,現階段有產品供應能力廠商如安森美、德州儀器(TI)和英特矽爾(Intersil),均全力搶攻商機。
另一方面,新一代Haswell處理器的電源設計規格將增添新一代渦輪加速(Turbo Boost)技術,可讓CPU在超過特定負載時,瞬間在10毫秒(ms)內提供雙倍的功率,以確保CPU運作無虞,但此一技術將影響電源轉換器(Adapter)、鋰電池和電池充電器的電源設計。
張道林認為,針對英特爾Turbo Boost規格要求,PWM要在10毫秒內做到如此大的電力輸出,將是一大技術挑戰。現階段如安森美、恩智浦(NXP)等國際電源大廠,積極透過瞬間高峰(Peak Power)的電源技術,來提高PWM的支援功率,以分食英特爾Haswell架構的市場商機。